شرکت رفاء الکترونیک


ترانزیستور دوقطبی BJT

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جِی‌تی (به انگلیسی: BJT) نوعی ترانزیستور است که دارای سه‌پایه به نام‌های بِیس (B)، اِمیتر (E) و کُلِکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌ها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرند که تنها یک نوع حامل بار دارند. عصر نوین الکترونیک نیمه‌رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در ۱۹۴۷ توسط جان باردین، والتر هاوسر براتین و ویلیام شاکلی در آزمایشگاه‌های تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تأثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه‌های زندگی نوین گذاشته‌است.